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纳米压印技术是如何进一步提高LED灯珠效率的

日期: 2021-12-31 22:25 浏览次数 :

利用纳米压印技术进一步提高LED灯珠效率的可能性。古河机械金属、金泽工业大学、东芝机械以及早稻田大学副教授水野润的研究室利用纳米压印技术开发出了将GaN晶体的位错(位错:晶体中含有的线状缺陷。此前GaN晶体的位错密度高达1×109/c㎡以上,被认为是向LED灯珠流过大电流时导致发光效率降低的原因。)降至大约原来的1%的方法。

1、实现高品质GaN晶体

首先在原来的GaN晶体上形成SiO2薄膜,利用纳米压印技术形成几十个nm宽的小口;然后再次生长GaN晶体。这样,SiO2膜下方的GaN晶体的位错就不会到达上方的GaN晶体,由此能减少上方GaN晶体的位错。早稻田大学的水野教授先容说,大家试制了LED灯珠,确认该技术可提高输出功率并延长寿命。应该也能用于功率半导体。

水野表示,该技术还有望降低LED灯珠的驱动电压。由于位错少,以前必须达到140μm厚度的GaN晶体可大幅减薄至21μm以下。

2、用R2R方式量灯珠管用模具

采用纳米压印技术的精细图案形成技术有助于提高LED灯珠发光效率。东芝机械企业开发出了包括专用的压印装置在内,将LED灯珠的发光效率提高20~30%的技术。利用在蓝宝石基板表面形成凹凸图案的PSS(PatternedSapphireSubstrate,图形化蓝宝石衬底),提高了反射率等,从而提高了发光输出。

  

 

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