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深色紫外LED灯珠的原理和特点是什么?

日期: 2022-04-26 23:01 浏览次数 :

DUVLED灯珠">DUVLED灯珠原理及特性1、DUVLED灯珠的发光机理:PN结的端电压形成一定的势垒,当加正偏压时势垒减小,P区和N区的大都载流子相互分散。由于电子迁移率远大于空穴迁移率,因此在P区内会出现大量电子分布,并在P区形成少量载体。这类电子与价带上的空穴复合,并通过光能的方式释放出合成后的能量。也就是PN结发光原理。DUVLED灯珠线光源固化设备DUV灯珠线光源固化设备2、DUV灯珠发光功率:通常称为组件的外部量子功率,它是组件内部量子功率与组件取出功率的乘积。大家所说的组件的内部量子功率,本来就是组件本身的光电转换功率,首先涉及到组件本身的特性(如能带、缺陷、杂质等),以及组件本身的垒晶结构和构造等。但组件取出能量指的是组件内部产生的光子,经过组件本身的吸取、折射、反射后,实际操作中组件外部可测量的光子数。因此,对于取出功率的影响因素包括元件本身的吸取率、元件的几何结构、元件和封装元件的折射率差以及元件结构的散射特性等。其中,内部量子功率是组件取力的乘积,即是组件整体发光的部分,也就是组件外部量子功率。前期组件开展会集过程中,提高其内部量子功率,首先的方法是通过提高垒晶质量和改变垒晶结构,使电能不易转化为热能,进而直接提高深紫外LED灯珠的发光功率,然后再提高70%的理论内部量子功率,但如此的内部量子功率现在几乎接近理论极限。这样的话,光靠进步元件的内部量子功率就不可能提高元件的总光量,所以进步元件的取出光能就成为首要的研究课题。现在最主要的方法是:改变晶粒的外部形状——TIP结构,改变表面粗糙度。

3.深紫外LED灯珠电气特性:电流控制型装置,负载特性与PN结的UI曲线相似,导通电压的极小变化将导致正向电流(指数级)的显著变化,反向漏电流较小,还有反向击穿电压。应选择适合实际使用的方法。随着温度的增加,深紫外LED灯珠的正向电压减小,且温度系数为负值。深色紫外LED灯珠耗电,部分转换成光能,这正是大家所需要的。其余转化热能,使结温增加。可以用所释放的热量(功率)表示。4.深紫外LED灯珠的光学特性:深紫外LED灯珠提供一种半宽度的单色光,由于半导体的能隙随着温度的升高而减小,因此其发光的峰值波长随着温度的升高而增加,即光谱红移,温度系数为+2~3A/。深色紫外LED珠光亮度L随正向电流而变化。提高电流,可以近似提高发光亮度;环境温度越高,复合功率越低,发光强度越低,其他发光亮度也越低。深紫外LED灯珠热学特性:电流较小,温度升高不明显。当环境温度较高时,深紫外发光灯珠的主波波长会发生红移,亮度降低,发光均匀度下降,一致性变差。特殊点阵、大屏温升对LED的可靠性、稳定性有较大影响。因此散热设计是关键。六、深紫外LED灯珠寿命:深紫外LED灯珠长期工作会导致光衰老化,尤其是大功率深紫外LED灯珠,光衰问题更为严重。当测量深紫外LED灯珠的寿命时,仅仅把灯泡的损坏程度作为深紫外LED灯珠寿命的终止值是远远不够的,应该用深紫外LED灯珠的光衰百分比来表示LED的寿命,比如35%,这样比较合理。高功率深紫外发光二极管封装:首先考虑散热和出光。在散热方面,采用铜基散热衬,再与铝基散热器连接,晶粒与热衬之间采用锡片焊接,该散热方式效果更好,性价比更高。出光方面,选择芯片倒装技能,并在底面和旁面增加反射面来反射糟蹋光能,这样就能得到更多有消出光。


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